发明名称 用于覆盖基材之低熔融玻璃
摘要 一种用于覆盖基材之透明的、电绝缘性的低熔融玻璃,其包含SiO2、B2O3、BaO及ZnO之化学成分。该低熔融玻璃在30-300℃范围内具有热膨胀系数从65 x 10-7/℃至95 x10-7/℃;低于600℃之软化点;以及在室温下1 MHz频率时小于7.5之介电常数。
申请公布号 TWI286127 申请公布日期 2007.09.01
申请号 TW090100219 申请日期 2001.01.04
申请人 中央硝子股份有限公司 发明人 早川直也;西川和浩
分类号 C03C3/066(2006.01) 主分类号 C03C3/066(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 1.一种用于覆盖基材之透明的且电绝缘性的低熔 融玻璃,该玻璃包含: SiO2、B2O3、BaO及ZnO之化学成分: 在30-300℃范围内具有热膨胀系数从6510-7/℃至9510 -7/℃; 不高于600℃之软化点;以及 在1MHz频率及室温下介电常数不大于7.5, 其中该玻璃包含20-35重量%之B2O3及16-35重量%之BaO, 以及该玻璃不含V2O5。 2.如申请专利范围第1项之玻璃,其中该玻璃包含0.1 -10重量%之SiO2、25-55重量%之ZnO及RO,该RO表示MgO、CaO 及SrO中至少一者,其中该玻璃中实质上不含PbO、Bi2 O3及硷金属氧化物。 3.如申请专利范围第2项之玻璃,其中该BaO对该BaO及 该RO全部之重量比系1:2或更大。 4.如申请专利范围第2项之玻璃,其中该玻璃包含2-5 重量%之SiO2、22-30重量%之B2O3及34-54重量%之ZnO。 5.如申请专利范围第1项之玻璃,其预定用于直接覆 盖基材或覆盖配置于基材上之元件,该元件包括导 电材料及半导体图案中至少一者。 6.如申请专利范围第2项之玻璃,其预定用于覆盖置 于用于显示板之基材上之元件,该元件包含透明电 极图案及滙流电极图案中至少一者。 7.如申请专利范围第6项之玻璃,其中该元件包含由 氧化物制成之该透明电极图案,该玻璃还包含0.5-5 重量%之该氧化物。 8.如申请专利范围第7项之玻璃,其中该氧化物系选 自In2O3、SnO2及掺入Sn之In2O3(ITO)中至少一者。 9.如申请专利范围第6项之玻璃,其中,当该元件包 含由金属制成之该滙流电极图案时,该玻璃还包含 0.1-1.5重量%之该金属之氧化物。 10.如申请专利范围第9项之玻璃,其中该氧化物系 选自CuO及Ag2O中至少一者。 11.如申请专利范围第6项之玻璃,其中该元件包含 由氧化物制成之该透明电极图案以及由金属制成 之该滙流电极图案,该玻璃还包含0.5-5重量%之该氧 化物及0.1-1.5重量%之该金属之氧化物。 12.一种用于覆盖基材之透明的且电绝缘性的低熔 融玻璃,该玻璃包含: SiO2、B2O3、BaO及ZnO之化学成分; 在30-300℃范围内具有热膨胀系数从7510-7/℃至8510 -7/℃; 不高于600℃之软化点;以及 在1MHz频率及室温下,介电常数不大于7, 其中该玻璃包含20-30重量%之B2O3,34-43重量%之ZnO及30 -37重量%之BaO,以及该玻璃不含V2O5。 13.如申请专利范围第12项之玻璃,其中该玻璃包含2 -10重量%之SiO2,其中该玻璃中实质上不含PbO、Bi2O3 及硷金属氧化物。 14.如申请专利范围第13项之玻璃,其中该玻璃还包 含不大于15重量%取代该BaO之成分,该成分系选自MgO 、CaO及SrO中至少一者。 15.一种叠层物,其包含: (a)基材;以及 (b)覆盖该基材之薄膜,该薄膜包含透明的、电绝缘 性的低熔融玻璃,该玻璃则包含: (1)SiO2、B2O3、BaO及ZnO之化学成分; (2)在30-300℃范围内具有热膨胀系数从6510-7/℃至95 10-7/℃; (3)不高于600℃之软化点;以及 (4)在1MHz频率及室温下,介电常数不大于7.5, 其中该玻璃包含20-35重量%之B2O3及16-35重量%之BaO, 以及该玻璃不含V2O5。 16.如申请专利范围第15项之叠层物,其中该基材系 一片透明的玻璃板,其具有(a)在30-300℃范围内从约 6510-7/℃至约9510-7/℃之热膨胀系数及(b)从约720至 约840℃之软化点。
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