| 发明名称 |
FLOATING GATE MEMORY CELL WHEREIN WRITING AND ERASING IS PERFORMED BY INJECTION OF HOT CHARGE CARRIERS |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0077520(A3) |
申请公布日期 |
1984.11.28 |
| 申请号 |
EP19820109439 |
申请日期 |
1982.10.13 |
| 申请人 |
DEUTSCHE ITT INDUSTRIES GMBH;ITT INDUSTRIES INC. |
发明人 |
ADAM, FRITZ GUNTER DIPL.-PHYS. DR. RER. NAT. |
| 分类号 |
H01L27/112;G11C16/04;H01L21/8246;H01L21/8247;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L29/60;G11C11/34 |
主分类号 |
H01L27/112 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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