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发明名称
制造半导体元件之方法
摘要
一种用以制造半导体元件之方法,包含:形成传导材料层于包含胞元区与周围区之基板上方;形成硬遮罩图案于该传导材料层上方;形成遮罩图案于胞元区中的合成结构的上方,曝露该周围区;修整周围区中之硬遮罩图案;移除遮罩图案;及使用该硬遮罩图案蚀刻该传导材料层,以形成闸极图案。
申请公布号
TW200830469
申请公布日期
2008.07.16
申请号
TW096141287
申请日期
2007.11.02
申请人
海力士半导体股份有限公司
发明人
曹允硕
分类号
H01L21/8242(2006.01);H01L21/28(2006.01)
主分类号
H01L21/8242(2006.01)
代理机构
代理人
何金涂;丁国隆
主权项
地址
韩国
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