半导体发光元件及其制造方法

摘要

本发明的目的在于提供一种可在以p型电极为发光观测面的半导体发光元件中，实现较高发光效率的半导体发光元件及其制造方法。该半导体发光元件的特征在于，具有：蓝宝石基板(11)；形成于该基板(11)上，在其上面具有以规定间隔形成条状的多个凹部(121)的u-GaN层(12)；形成于该u-GaN层(12)上的再生长u-GaN层(13)；形成于u-GaN层(13)上，具有n-GaN层(15)、活性层(16)及p-GaN层(19)的层压体；在层压体的一部分被除去而露出的n-GaN层(15)上形成的n型电极(24)；和形成于p-GaN层(19)之上，具有透光性的p型电极(20)，该p型电极(20)构成发光观测面，在u-GaN层(13)的下面与(121)凹部之间形成空气层(S)。

主权项

1. 一种半导体发光元件，具特征在于，具有：在其上面具有以规定间隔形成带状的多个凹部的第一GaN系半导体层；形成于该第一GaN系半导体层上的第二GaN系半导体层；形成于该第二GaN系半导体层上，具有n型GaN系半导体层、活性层及p型GaN系半导体层的层压体；在所述层压体的一部分被除去而露出的n型GaN系半导体层上形成的n型电极；和形成于所述p型GaN系半导体层上，具有透光性的p型电极，该p型电极构成发光观测面，在所述第二GaN系半导体层的下面与所述凹部之间形成空气层，在所述p型电极及n型电极上形成施以布线的遮光性区域，在所述多个凹部之中，形成于所述发光观测面下方的凹部的宽度，比形成于所述遮光性区域下方的凹部的宽度大。