| 发明名称 | 用一氧化二氮的回蚀方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种在通孔中产生有机插塞的方法，所述通孔位于具有硅基电介质材料的集成电路(IC)中，产生所述有机插塞的所述方法包括：应用有机化合物，比如底层抗反射涂层。所述有机化合物填充通孔。然后将一氧化二氮(N<SUB>2</SUB>O)气体通入反应器，在所述反应器产生等离子体。所述有机化合物的很大一部分被去除，留下有机插塞占据通孔。所述有机插塞通常是在双镶嵌工艺中产生。 | ||
| 申请公布号 | CN100418208C | 申请公布日期 | 2008.09.10 |
| 申请号 | CN200480029165.6 | 申请日期 | 2004.10.05 |
| 申请人 | 兰姆研究公司 | 发明人 | 拉奥·安纳普勒格德;朱海伦 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01);H01L21/4763(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 | 代理人 | 李勇 |
| 主权项 | 1.一种在通孔内产生有机插塞的方法，所述通孔位于具有含硅电介质材料的集成电路结构中，所述方法包括：第一步，应用有机化合物于集成电路结构，所述有机化合物填充所述通孔和所述集成电路的表面；第二步，将一氧化二氮气体通入反应器；第三步，在所述反应器产生等离子体；第四步，除去所述有机化合物的一部分以便所述有机插塞占据所述通孔。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||