摘要 |
<p>Ein Verfahren zum Betrieb einer Plasmaversorgungseinrichtung mit zumindest einer wenigstens zwei schaltende Elemente (1-4) aufweisenden Schaltbrücke (100, 101), wobei die Plasmaversorgungseinrichtung, ein Hochfrequenzausgangssignal mit einer Leistung > 500W und einer im Wesentlichen konstanten Grundfrequenz > 3MHz an eine Plasmalast (60) liefert, umfasst die Schritte: Ermitteln zumindest eines Betriebsparameters, zumindest eines Umgebungsparameters von wenigstens einem schaltenden Element und/oder eines Schaltbrückenparameters; Ermitteln von individuellen Ansteuersignalen für die schaltenden Elemente (1-4) unter Berücksichtigung des zumindest einen Betriebsparameters, des zumindest einen Umgebungsparameters und/oder des Schaltbrückenparameters; Individuelles Ansteuern der schaltenden Elemente (1-4) mit jeweils einem Ansteuersignal.</p> |
申请人 |
HUETTINGER ELEKTRONIK GMBH + CO. KG;KIRCHMEIER, THOMAS;KNAUS, HANNS-JOACHIM;GLUECK, MICHAEL;WINDISCH, HANS-JUERGEN |
发明人 |
KIRCHMEIER, THOMAS;KNAUS, HANNS-JOACHIM;GLUECK, MICHAEL;WINDISCH, HANS-JUERGEN |