形成独立半导体层的方法

摘要

一种在常规SOI或体衬底硅器件上提供独立半导体层(26)的方法，包括在单晶基础结构(20)上形成无定形或多晶心轴(22)。然后在心轴(22)上和基础结构(20)上形成保形多晶半导体层(24)，其中所述多晶层(24)接触所述基础结构(20)。然后重结晶所述多晶半导体层(24)，以使它具有与所述基础结构(20)基本相似的结晶性。这样，形成了对其厚度和高度具有高度控制并保持厚度一致性的独立半导体层(26)。

主权项

1.一种形成独立半导体层的方法，包括以下步骤：a1)提供绝缘层；a2)在所述绝缘层上形成单晶基础结构；a3)在所述绝缘层和所述基础结构上淀积非单晶心轴；a4)平面化所述心轴到所述基础结构；以及a5)从所述绝缘层选择性除去一部分所述心轴和所述基础结构；b)在所述心轴的至少一个侧壁上形成保形多晶半导体层，所述多晶半导体层接触所述基础结构；以及c)重结晶所述多晶半导体层，以具有与所述基础结构相同的结晶性。