| 摘要 |
本发明之目的在于提供廉价制造具备藉由微结晶矽构成的通道层之薄膜电晶体的方法。具备薄膜电晶体（400）之本质(intrinsic)微结晶矽层（404）可以由如下之方式形成。在闸极绝缘层（103）之形成后，将闸极绝缘层（103）之表面，跨预定时间使氢气流过进行电浆处理。接着，在继续电浆处理的期间，导入原料气体使由本质微结晶所构成的本质微结晶层（404）形成于闸极绝缘层（103）上，微结晶矽，譬如说在氢之大海中使矽活化而凝聚形成的，所以此方法，使闸极绝缘层（103）之表面布满氢而活化，在该状态下导入矽。 |
