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<P>L'INVENTION CONCERNE UN TRANSISTOR A HAUTE FREQUENCE, DU TYPE METAL-ISOLANT SEMI-CONDUCTEUR, REALISE DE PREFERENCE SUR MATERIAU DU GENRE GAAS OU VOISIN.</P><P>LES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP SUR GAAS, DE TYPE MOS, SOUFFRENT D'INSTABILITES DUES A L'ACCUMULATION DE CHARGES ELECTRIQUES AUX INTERFACES ENTRE LA COUCHE D'OXYDE ET LA METALLISATION DE GRILLE, D'UNE PART, ET LA COUCHE ACTIVE D'AUTRE PART. L'INVENTION SUPPRIME CES INSTABILITES EN PREVOYANT DE DISPOSER, SUR LA COUCHE ACTIVE2 ET ENTRE LES METALLISATIONS DE SOURCE ET DRAIN 3, 4 UNE COUCHE SEMI-ISOLANTE6 QUI SUPPORTE LA METALLISATION DE GRILLE5. CETTE COUCHE SEMI-ISOLANTE6 EST CONSTITUEE DE NITRURE DE SILICUM, RICHE EN SILICIUM ET NON STOECHIOMETRIQUE. ELLE PEUT ETRE DOPEE PAR UN METAL, W OU TA, POUR EN CONTROLER LA RESISTIVITE.</P><P>APPLICATION AUX CIRCUITS INTEGRES RAPIDES, POUR LES SYSTEMES HYPERFREQUENCES.</P>
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