| 摘要 |
<P>A.PROCEDE DE FABRICATION A SEC D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR PAR REACTION PHOTOCHIMIQUE, ET APPAREIL POUR LA MISE EN OEUVRE DE CE PROCEDE.</P><P>B.PROCEDE CARACTERISE EN CE QU'IL COMPREND LES DIFFERENTES ETAPES CONSISTANT A ETABLIR UNE PREMIERE ZONE4 DE GAZ A HAUTE PRESSION ET UNE SECONDE ZONE5 DE GAZ A BASSE PRESSION, COMMUNIQUANT ENTRE ELLES; A PLACER LE SUBSTRAT13 DANS LA ZONE A BASSE PRESSION; A EFFECTUER UNE IRRADIATION, PAR UN FAISCEAU DE RAYONS LUMINEUX9, SUR LE GAZ, DE MANIERE A ACTIVER LES PARTICULES CONTENUES DANS CE GAZ ET LES ENVOYER SUR LE SUBSTRAT13.</P><P>C.L'INVENTION CONCERNE LA FABRICATION DES SEMI-CONDUCTEURS.</P> |
