| 摘要 |
L'invention concerne un capteur d'image comprenant une couche semi conductrice (1) ; un empilement (3) de couches isolantes (51, 53, 55) reposant sur la face arrière (F1) de la couche semiconductrice ; une portion de couche conductrice (59) s'étendant sur une partie de la hauteur de l'empilement (3) et affleurant au niveau de la surface exposée de l'empilement ; des doigts conducteurs isolés latéralement (57) s'étendant à travers la couche semiconductrice (1) à partir de sa face avant (F2) et pénétrant dans ladite portion de couche (59) ; des murs conducteurs isolés latéralement (25) séparant des zones de pixel, ces murs s'étendant à travers la couche semiconductrice (1) à partir de sa face avant (F2) et étant moins hauts que les doigts (57) ; et une structure d'interconnexion (5) reposant sur la face avant (F2) de la couche semiconductrice (1) et comportant des vias (13) en contact avec les doigts (57). |
