パワー半導体装置

摘要

本発明のパワー半導体装置（５０）によれば、配線パターン状に成型された複数のリードフレーム（１）と、リードフレーム（１）上に接合されたパワー半導体素子（２）と、互いに隣接した２つのリードフレーム（１）の間に配置されたコンデンサ（１００）とを備え、モールド樹脂（５）で封止される。コンデンサ（１００）は、当該コンデンサ（１００）の外部電極（１０１）が、当該コンデンサ（１００）よりも剛性が低い応力緩和構造部（３９）を介してリードフレーム（１）に接続されたことを特徴とする。