| 摘要 |
Implantation, avec une énergie faible (par exemple 75 Kev et moins), d'une dose de bifluor de bore (BF2) dans une zone située sur un substrat de silicium qui est postendommagé ou préendommagé par un implant de silicium de façon que le recuit, ou activation, puisse être accompli à des températures s'échelonnant entre 550oC et 900oC. |
