发明名称 Modellprädiktive Regelung des Zonenschmelz-Verfahrens
摘要 Verfahren zur geregelten Erzeugung von kristallinen Formkörpern im Zonenschmelzverfahren durch Beeinflussung von Stellgrößen, wobei die Art der Beeinflussung anhand eines Abgleichs von gemessenen Ist-Werten mit Soll- und prädizierten Verlaufs-Werten von Systemzuständen ermittelt wird, wobei die Ist-Werte der Systemzustände direkt gemessen und/oder indirekt mittels eines Zustandsbeobachters gemessen werden, dadurch gekennzeichnet, dass die prädizierten Verlaufs-Werte, ausgehend von den direkt oder indirekt gemessenen Ist-Werten, modellbasiert berechnet werden, wobei das zugrunde liegende Modell die folgenden Gleichungen umfasst: ẋ1 : ddt (RF) = vMe·tan(αF) ẋ2 : ddt (RC) = vCr·tan(φC) ẋ3 : ddt (hF) = vMe – vF ẋ4 : ddt (hC) = vC – vCr mit Vorratsstabsradius (RF), Kristallradius (RC), obere Zonenhöhe (hF), untere Zonenhöhe (hC), Geschwindigkeit der Abschmelzfront (vMe), Vorratsstabgeschwindigkeit (vF), Kristallgeschwindigkeit (vC), Geschwindigkeit der Kristallisationsfront (vCr), Kristallwinkel (φC), und Winkel am Vorratsstab (αF), und dass mindestens eine Stellgröße, ausgewählt aus Generatorleistung (PGen), Vorratsstabgeschwindigkeit (vF) und Kristallgeschwindigkeit (vC), so verändert wird, dass die Abweichung von den Soll- und den prädizierten Verlaufs-Werten verringert wird.
申请公布号 DE102012108009(B4) 申请公布日期 2016.09.01
申请号 DE201210108009 申请日期 2012.08.30
申请人 TOPSIL SEMICONDUCTOR MATERIALS A/S 发明人 Werner, Nico;Wünscher, Michael
分类号 C30B13/28;G05B17/02 主分类号 C30B13/28
代理机构 代理人
主权项
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