| 摘要 |
<p>PERFECCIONAMIENTO EN UN DISPOSITIVO FOTOVOLTAICO.COMPREND E UN SUSTRATO CONDUCTIVO; UNA CAPA DE GAAS1-YSBY QUE TIENE REGIONES DE CONDUCTIVIDAD DIFERENTE QUE FORMA UNA HOMOUNION EN CONTACTO CON EL SUSTRATO Y SE ADAPTAN A LA RETICULA DEL SUSTRATO DENTRO DE APROXIMADAMENTE G 1; UNA CAPA DE GERMANIO TIPO NB O PB DE UNION DE CORTOCIRCUITACION EN CONTACTO CON LA SUPERFICIE DE LA CAPA DE GAASB OPUESTA A LA SUPERFICIE EN CONTACTO CON EL SUSTRATO; UNA CAPA DE GAAS1-XPX QUE TIENE UNA BANDA PROHIBIDA MAYOR QUE LA CAPA DE GAASSB, PONIENDOSE LA CAPA SEMICONDUCTORA EN CONTACTO CON LA SUPERFICIEDE LA CAPA DE UNION DE CORTOCIRCUITACION OPUESTA A LA SUPERFICIE EN CONTACTO CON LA CAPA DE GAASSB; Y ELEMENTOS PARA FORMAR UN CONTACTO ELECTRICO EN LAS CAPAS PARA TOMAR CORRIENTE FOTOGENERADA DE LAS MISMAS. Y TIENE EL VALOR ENTRE 0,1 A 0,4, Y X ENTRE 0,1 A 0,3.</p> |
