| 发明名称 |
PROCEDE DE FABRICATION DE MATERIAUX SEMICONDUCTEURS ET FOUR DE TRAITEMENT POUR LA MISE EN OEUVRE DE CE PROCEDE |
| 摘要 |
<P>L'INVENTION CONCERNE UN PROCEDE DE FABRICATION DE MATERIAUX SEMICONDUCTEURS ET UN FOUR DE TRAITEMENT POUR LA MISE EN OEUVRE DE CE PROCEDE.</P><P>CE PROCEDE EST MIS EN OEUVRE DANS UN FOUR COMPORTANT UNE CLOCHE 1, UN MANDRIN 7 MAINTENANT UN LINGOT DE MATERIAU SEMICONDUCTEUR 5 AU MOYEN DE SON GERME 5A, ET UNE SOURCE DE CHALEUR RAYONNANTE 6 ENTOURANT LA CIRCONFERENCE EXTERIEURE DE LA CLOCHE, LE MATERIAU 5 ETANT SUSPENDU A L'INTERIEUR DE LA CLOCHE PAR LE MANDRIN 7 ET ETANT CHAUFFE PAR LA SOURCE DE CHALEUR 6, PUIS ETANT REFROIDI A UNE VITESSE ET A UNE TEMPERATURE PREDETERMINEES.</P><P>APPLICATION NOTAMMENT A LA FABRICATION DE MICROPLAQUETTES A HAUTE DENSITE D'INTEGRATION.</P>
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| 申请公布号 |
FR2543980(A1) |
申请公布日期 |
1984.10.12 |
| 申请号 |
FR19840001838 |
申请日期 |
1984.02.07 |
| 申请人 |
HITACHI LTD |
发明人 |
HIROFUMI SHIMIZU, MASATO FUJITA, KAZUYA SUZUKI ET FUMIAKI HANAGATA;FUJITA MASATO;SUZUKI KAZUYA;HANAGATA FUMIAKI |
| 分类号 |
C30B15/14;C30B29/06;C30B33/00;C30B33/02;(IPC1-7):C30B33/00;F27B5/04;F27B5/14;F27D11/02 |
主分类号 |
C30B15/14 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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