AN ALUMINUM-METAL SILICIDE INTERCONNECT STRUCTURE FOR INTEGRATED CIRCUITS AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF.

摘要

Structure d'interconnexion pour circuits intégrés possédant une couche d'aluminium (16) et une couche de siliciure métallique réfractaire (17) sur la couche d'aluminium (16) de manière à former une couche composite de siliciure-aluminium. Des plages d'épaisseurs appropriées pour les couches d'aluminium et de siliciure métallique sont également décrites. Le molybdène (Mo) et le tantale (Ta) peuvent être utilisés en tant que métal réfractaire dans la couche de siliciure métallique. On décrit également un procédé de fabrication d'une structure d'interconnexion dans un circuit intégré formant une première couche isolante (12) sur un substrat semiconducteur possédant une pluralité de régions actives (11) à la surface du substrat semiconducteur (10), consistant à former une première couche d'aluminium (16) sur la première couche isolante (12), une couche de siliciure métallique (17) sur la couche d'aluminium (16), et à enlever de manière sélective des parties de la première couche d'aluminium (16) et de la couche de siliciure métallique (17) selon un motif prédéterminé, de manière à former unestructure d'interconnexion en siliciure métallique-aluminium permettant de coupler au moins quelques-unes des régions actives (11).