| 摘要 |
<p>L'invention concerne une cellule de mémoire statique non volatile. La cellule comprend une bascule bistable à quatre transistors (T1, T2, T3, T4), avec deux sorties complémentaires (Q et R). Entre les sorties (Q et R) est placé un élément de mémorisation non volatile qui comprend deux transistors complémentaires en série (T5 à canal p et T6 à canal n), ces deux transistors ayant une grille flottante commune (GF) et une grille de commande commune (GC), une zone d'injection de charges étant prévue du côté de la région de source du transistor à canal n (T6), cette région étant reliée à une sortie (Q) de la bascule alors que la grille de commande (GC) est reliée à l'autre sortie (R). Le repositionnement s'effectue sans inversion de l'état original de la bascule.</p> |
