PROCEDE POUR L'AUTO-ALIGNEMENT D'UNE DOUBLE COUCHE DE SILICIUM POLYCRISTALLIN, DANS UN DISPOSITIF A CIRCUIT INTEGRE, AU MOYEN D'UNE OPERATION D'OXYDATION

摘要

SUR UN SUBSTRAT 1 DE SILICIUM MONOCRISTALLIN SONT FORMEES SUCCESSIVEMENT UNE PREMIERE COUCHE 2 D'OXYDE, UNE PREMIERE COUCHE 3 DE SILICIUM POLYCRISTALLIN, UNE SECONDE COUCHE D'OXYDE 4 ET UNE SECONDE COUCHE 5 DE SILICIUM POLYCRISTALLIN, PLUS EPAISSE QUE LA PREMIERE. UNE STRUCTURE AYANT LA CONFIGURATION DE CIRCUIT VOULUE EST DEFINIE DANS LA SECONDE COUCHE DE SILICIUM POLYCRISTALLIN. EN UTILISANT CETTE STRUCTURE DANS LE SILICIUM POLYCRISTALLIN COMME MASQUE, ON ATTAQUE CHIMIQUEMENT LES PARTIES DECOUVERTES DE LA COUCHE INTERMEDIAIRE D'OXYDE JUSQU'A LEUR ELIMINATION TOTALE, PUIS ON EFFECTUE UNE OPERATION D'OXYDATION, PENDANT UNE DUREE SUFFISANTE POUR LA CONVERSION COMPLETE EN OXYDE DES PARTIES DECOUVERTES DE LA PREMIERE COUCHE DE SILICIUM POLYCRISTALLIN. A PARTIR DE CETTE COUCHE, ON OBTIENT AINSI UNE STRUCTURE DE CIRCUIT AUTO-ALIGNEE AVEC CELLE QUI A ETE D'ABORD DEFINIE DANS LA SECONDE COUCHE DE SILICIUM POLYCRISTALLIN.