发明名称 WERKWIJZE VOOR HET GALVANISCH NEERSLAAN VAN EEN HOMOGEEN DIKKE METAALLAAG, ALDUS VERKREGEN METAALLAAG EN TOEPASSING VAN DE ALDUS VERKREGEN METAALLAAG, INRICHTING VOOR HET UITVOEREN VAN DE WERKWIJZE EN VERKREGEN MATRIJS.
摘要 The invention relates to a method for the electrodeposition of a homogeneously thick metal layer on the surface of a substantially flat cathode in which a screening member is placed in the electrolyte bath between the planes of the anode and the cathode. In order to improve the homogeneity of the thickness of the metal layer, which is desired, for example, in the manufacture of information carriers, a cylindrical screening member is used which is placed at a short distance from the cathode.
申请公布号 NL8300916(A) 申请公布日期 1984.10.01
申请号 NL19830000916 申请日期 1983.03.14
申请人 N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN TE EINDHOVEN. 发明人
分类号 G11B7/26;C25D1/10;C25D17/00;G11B9/06;(IPC1-7):25D1/10;11B3/70;25D21/00 主分类号 G11B7/26
代理机构 代理人
主权项
地址