FEEDTHROUGH STRUCTURE FOR THREE DIMENSIONAL MICROELECTRONIC DEVICES.

摘要

Procédé et structure permettant de réduire la surface spécifique occupée par une traversée dans un substrat semiconducteur. Un chemin conducteur horizontal noyé (30) est disposé sur une surface principale (12) du substrat (10), une extrémité (32) du chemin conducteur (30) étant en contact électrique et physique avec la traversée (20) (par exemple le résultat d'une fusion en zones à radient thermique TGZM). Une couche épitaxiale (40) est déposée sur le TGZM et sur le chemin conducteur horizontal noyé (30). On effectue un contact électrique sur l'extrémité distale (31) du chemin conducteur horizontal noyé (30) par diffusion au travers de la couche épitaxiale (40) qu'on vient de déposer ou par gravure du chemin conducteur. La région diffusée (50) présente les mêmes caractéristiques de dopant et le même type de conductivité que le chemin horizontal (30) et le TGZM. La zone de section transversale de la région de la diffusion (50) mesure entre 25 et 30 microns carrés comparée à la zone mesurant entre 507 et 2027 microns carrés du TGZM. Cela se traduit par une réduction considérable de la surface spécifique occupée par les structures de traversée et permet de réaliser davantage de dispositifs sur la surface du substrat.