首页 产品 黄页 商标 征信
会员服务 注册 登录 
全部
 |
企业名
 |
法人/股东/高管
 |
品牌/产品
 |
地址
 |
经营范围
发明名称 METHOD OF DOPING SILICIUM SUBSTRATES BY DIFFUSION OF BORON AND USE OF THIS METHOD FOR THE MANUFACTURE OF THE BASE ZONES OF BIPOLAR TRANSISTORS
摘要
申请公布号 DE3068722(D1) 申请公布日期 1984.08.30
申请号 DE19803068722 申请日期 1980.11.14
申请人 IBM DEUTSCHLAND GMBH;INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 发明人 BRISKA, MARIAN;METZGER, GERT;THIEL, KLAUS PETER
分类号 C30B31/02;H01L21/223;H01L21/31;(IPC1-7):H01L21/22 主分类号 C30B31/02
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利
©  2024 传众  czvv.com