| 摘要 |
Un type de laser à semiconducteur à bande plane possède une largeur de bande qui vaut S1 en un point situé à une certaine distance d'une surface d'extrémité photo-émettrice et qui vaut S2 à la surface d'extrémité photo-émettrice, en variant en continu entre ces deux points. Si la distance entre la source lumineuse imaginaire de rayons lumineux parallèles au plan de jonction et la surface d'extrémité photo-émettrice est D, le rayon de courbure du plan d'équiphase de la lumière émise par la surface d'extrémité photo-émettrice est R, et la demi-largeur du motif de champ proche de la lumière au niveau de la surface d'extrémité photo-émettrice est W, D présente une valeur maximum lorsque R a une certaine valeur avec W pris comme paramètre. D augmente avec W, R augmente avec S1 et W augmente avec S2, de manière sensiblement indépendante l'un de l'autre; afin de réduire D, S1 doit être plus grand ou plus petit que la plage dans laquelle D a une valeur élevée. En outre, S2 est réduit pour accroître ou diminuer R et, par conséquent, diminuer W. Le laser à semiconducteur n'est ainsi pratiquement pas perturbé par le bruit dû à la lumière de retour et par le bruit de saut de mode et présente un astigmatisme amélioré. |
