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发明名称 INTEGRATED MOS SEMICONDUCTOR CIRCUIT
摘要
申请公布号 DE3164950(D1) 申请公布日期 1984.08.30
申请号 DE19813164950 申请日期 1981.02.24
申请人 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT 发明人 HOFFMANN, KURT, DR.;KANTZ, DIETER, DIPL.-ING.
分类号 G05F3/20;(IPC1-7):G05F3/20 主分类号 G05F3/20
代理机构 代理人
主权项
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