发明名称 TEMPERATURE COMPENSATION FOR DIFFUSED SEMICONDUCTOR STRAIN DEVICES.
摘要 Un système permet d'élargir la plage de températures dans laquelle des dispositifs de détection de contrainte à semiconducteurs diffusés peuvent être utilisés comprend une puce à semiconducteurs (34) ayant un matériau de base (36) et un dispositif à semiconducteurs (R0, R1, R2, R3) formé dans le matériau de base. Un potentiel de polarisation est appliqué au matériau de base (36) et un potentiel d'excitation est appliqué au dispositif diffusé. Le potentiel de polarisation et le potentiel d'excitation sont sélectionnés l'un par rapport à l'autre pour permettre une variation prédéterminée de la caractéristique du dispositif à semiconducteurs par rapport à la température dans une plage de température élargie. Dans l'application de détection de contrainte à semiconducteurs, cette caractéristique prédéterminée est l'impédance du dispositif. De cette manière, la compensation de la variation de la caractéristique peut être appliquée pour élargir la plage utile de températures du dispositif à semiconducteurs. En particulier, les considérations de conception pour obtenir la polarisation relative de manière unique donnent les potentiels relatifs d'une manière simple, permettant de produire des dispositifs à faibles coûts et ayant la plage élargie désirée de températures.
申请公布号 EP0116641(A1) 申请公布日期 1984.08.29
申请号 EP19830903033 申请日期 1983.08.26
申请人 AMETEK, INC. 发明人 SCHAFF, ALFRED, JR.
分类号 G01L9/04;G01B7/16;G01D3/028;G01D3/036;G01D5/16;G01L1/22;G01L9/00;G01L9/06;(IPC1-7):01D3/04;01L9/06 主分类号 G01L9/04
代理机构 代理人
主权项
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