| 摘要 |
<p>Bei der Erfindung werden glasbildende Chloride, z.B. SiCl4 und/oder GeCl4 mit Wasserdampf zu einer glasbildenden Schicht, z.B. SiO2-soot, umgesetzt. Diese Reaktion erfolgt vorteilhafterweise bei niedrigen Temperaturen, z.B. 20°C. Auf beheizten Flächen, z.B. der Reaktionskammer, erfolgt überraschenderweise nahezu keine SiO2-Abscheidung. Eine Beseitigung störender OH<->-Ionen ist möglich.</p> |
