Power MOS FET having a planar multicellular structure.

摘要

Dispositif MOS FET vertical à structure plane multicellulaire constitué d'un ensemble de cellules élémentaires (1) de forme polygonale comportant une zone de source (2), une région de court-circuit (3), une zone de canal (4) et une zone de drain (5). Dispositif caractérisé en ce que dans le volume des zones de drain laissé libre entre les sommets adjacents d'une pluralité de cellules élémentaires (1), sont disposés des éléments complémentaires (8) de même structure et de même fonction que lesdites cellules (1). Application à la réalisation de transistors MOS FET de puissance.