CIRCUITRY FOR REDUCING OVERVOLTAGE ON POWER SEMICONDUCTOR ELEMENTS,申请号CS19830001934-传众专利搜索

发明名称	CIRCUITRY FOR REDUCING OVERVOLTAGE ON POWER SEMICONDUCTOR ELEMENTS
摘要
申请公布号	CS230243(B1)	申请公布日期	1984.08.13
申请号	CS19830001934	申请日期	1983.03.21
申请人	VALSA,JURAJ,CS;DOSTAL,ZDENEK,CS	发明人	VALSA,JURAJ,CS;DOSTAL,ZDENEK,CS
分类号	H02H7/122;(IPC1-7):H02H7/122	主分类号	H02H7/122
代理机构		代理人
主权项
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