| 主权项 |
1.在矽本体上形成介质膜之方法,包括:(a)在含氧环境中使矽本体表面氧化,以构成包含氧化矽之薄膜第一区域;(B)铝飞溅构成第二区域,包含在第一区域上面之矽和氧化铝混合物;及(c)在第二区域上面以及应性铝飞溅构成大体上为氧化铝之第三区域。2.根据上述请求专利部份第1项中所述之方法,其中步骤(a)系在含氧浆中实施,在步骤(b)和(c)中仍保持此浆,藉以提供所述之铝飞溅。3.根据上述请求专利部份第2.项中所述之方法,其中环境温度系保持于摄氏300度左右。4.根据上述请求专利部份第2.项中所述之方法,其中步骤(a)之前系以热氧化方式在矽上面构成一厚层二氧化矽。5.根据上述请求专利部份第2.项中所述之方法,其中,浆之有效电力密度在每平方公分约1至15瓦特。6.根据上述请求专利部份第1.项中所述方法,其中步骤(a)系以热氧化方式实施。7.根据上述请求专利部份第6.项中所述之方法,其中热氧化系在温度系在摄氏约600度状况下实施。8.包括氧化物介质膜之半导体装置,其中,氧化物介质膜系依第1项所述方法所构成。9.在包括半导体材料之本体,和由介质膜分隔之电极之半导体装置中,其改进之处,介质膜包括:由氧化矽组成之第一区域;在第一区域上面之第二区域,包括矽和氧化铝之混合物,其中,随与第一区域之距离之增加,氧化矽的浓度减少,而氧化铝的浓度则增加;及在第二区域上面的第三区域,包括氧化铝。10.根据上述请求专利部份第8.项中所述之装置,其中,该第一区域之厚度为5至100毫微米之间。11.根据上述请求专利部份第9.项中所述之装置,其中,第一区域系为浆生,厚度为约5至20毫微米之间。12.根据上述请求专利部份第8.项中所述之装置,其中,第二区域之厚度约为2至30毫微米之间。13.根据上述请求专利部份第8.项中所述之装置,其中,第三区域之厚度为约10至100毫微米之间。14.根据上述请求专利部份第8.项中所述之装置,其中,该装置系为一全氧场效电晶体。15.根据上述请求专利部份第13.项中所述之装置,其中,第一区域之厚度为约6毫微米的热生二氧化矽。 |
