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Diélectrique à film mince comprenant un substrat conducteur sur lequel est formée une mince couche d'une composition ternaire de zirconate de titanate de plomb ou de zirconate de titanate de plomb contenant du lanthane (PLZT) préparée en additionnant un ingrédient représenté par la formule Pb(M'1/3M"2/3)O3 (où M' représente un métal bivalent de transition et M" représente Ta ou Nb), en tant que troisième composant à du titanate de plomb (PT) et du zirconate de titanate de plomb (PZT) pour former une solution solide. L'épaisseur totale du film de la composition diélectrique varie entre 0,1 et 100 mum. Le diélectrique à film mince est produit en recouvrant le substrat d'une solution de solvant organique de beta-dicétone ou analogue d'une épaisseur uniforme en tant que précurseur de diélectrique, en effectuant une cuisson préalable à une température plus élevée que la température de décompostion du matériau organique contenu dans le revêtement et inférieure à la température de cristallisation du diélectrique dans un courant contenant de l'oxygène, en répétant le processus de revêtement-cuisson préalable, et en cuisant ensuite complètement à une température supérieure à la température de cristallisation de la composition diélectrique ou en répétant le revêtement avec la solution de précurseur et le processus de cuisson complète. |
