| 发明名称 |
EPITAXIAL STRUCTURE FOR ENHANCING PIEZOELECTRIC EFFECT |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPS59134820(A) |
申请公布日期 |
1984.08.02 |
| 申请号 |
JP19830252254 |
申请日期 |
1983.12.30 |
| 申请人 |
THOMSON CSF |
发明人 |
RIN NIYUIAN TORON;JIYAN SHIYUBUURIE |
| 分类号 |
H01L21/20;H01L27/20;H01L41/00;H01L41/18;H03H9/02;H03H9/05 |
主分类号 |
H01L21/20 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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