| 摘要 |
<p>Keramischer Träger für Halbleiterkombinationen bestehend aus polykristallinem Aluminiumnitrid hoher Dichte, der als Zusatz Bornitrid oder Oxidzusätze aus Oxiden von Calzium, Magnesium, Aluminium, Titan, Zirkonium, Chrom und/oder Silizium und/oder Seltenerdmetalle, enthält. Die Bornitridzuätze liegen zwischen 0,1 und 3 Gew.-%, vorzugsweise 0,5 und 2 Gew.-%. Die Oxidzusätze liegen zwischen 0,1 und 5 Gew.-%. Der Träger hat eine wesentlich höhere thermische Leitfähigkeit als Träger aus Aluminiumoxid und ist kostengünstiger herzustellen als Träger aus Berylliumoxid.</p> |
