摘要 |
<P>L'INVENTION CONCERNE UN PROCEDE DE FABRICATION DE CONDUCTEURS POUR CIRCUITS INTEGRES, EN TECHNOLOGIE PLANAR.</P><P>SELON CE PROCEDE, ON DEPOSE SUR UN SUBSTRAT 1, UNE COUCHE 2 D'UN MATERIAU ISOLANT, ON DEPOSE UNE NAPPE DE MASQUAGE 6 SUR LA COUCHE 2 DE MATERIAU ISOLANT, ON DECOUPE DANS CETTE NAPPE SELON DES FENETRES 4 CORRESPONDANT AUX CONDUCTEURS A OBTENIR, ON GRAVE LA COUCHE 2 DE MATERIAU ISOLANT EN REGARD DES FENETRES 4, ON DEPOSE UN MATERIAU CONDUCTEUR 5 SUR LA NAPPE DE MASQUAGE 6 DECOUPEE, ON ELIMINE LA NAPPE DE MASQUAGE 6, ET LE MATERIAU CONDUCTEUR QUI LA RECOUVRE. LE PROCEDE EST CARACTERISE EN CE QU'IL CONSISTE A CHOISIR UNE NAPPE 6 DE MASQUAGE COMPORTANT UNE PREMIERE COUCHE 7 RECOUVRANT LA COUCHE 2 DE MATERIAU ISOLANT, ET UNE DEUXIEME COUCHE 3 DE MASQUAGE RECOUVRANT LA PREMIERE COUCHE 7. LA PREMIERE COUCHE 7 EST DECOUPEE CHIMIQUEMENT, EN REGARD DES FENETRES, APRES DECOUPAGE DE LA DEUXIEME 3 COUCHE DE MASQUAGE, LES BORDS DE LA PREMIERE COUCHE 7, SUR LE POURTOUR DES FENETRES 4, SONT ERODES PAR LE DECOUPAGE CHIMIQUE.</P><P>APPLICATION A LA FABRICATION DES CIRCUITS INTEGRES EN TECHNOLOGIE PLANAR.</P>
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