INTENSITY OF A LIGHT BEAM APPLIED TO A LAYERED SEMICONDUCTOR STRUCTURE CONTROLS THE BEAM

摘要

Un dispositif optique (10) comprend une structure de semiconducteurs en couches (16) possèdant un rayon lumineux d'entrée variable (21) appliqué à la structure avec une composante de champ E (22) polarisée perpendiculairement aux couches. L'intensité du rayon lumineux d'entrée commande la charge emprisonnée dans les couches, la constante diélectrique des couches contenant la charge emprisonnée et la propagation du rayon lumineux d'entrée à l'intérieur du dispositif.