| 摘要 |
Un circuit de détection de tension (10) possède un transistor à effet de champ du type P (12) couplé en série avec un transistor à effet de champ du type N (14) entre un premier noeud de tension d'alimentation (16) et un noeud d'entrée (22), ses portes étant couplées à un second noeud de tension d'alimentation (20). Si la résistance du transistor à effet de champ (14) est sensiblement supérieure à celle du transistor à effet de champ (12), le noeud de sortie (18) aura sensiblement la première tension d'alimentation lorsque le signal d'entrée est absent, et il aura la tension du signal d'entrée lorsque ce dernier est présent. Un circuit de transformation de tension (40) possède un transistor à effet de champ du type P (42) couplé en série avec un transistor à effet de champ du type N (44) ayant un premier noeud de tension d'alimentation (50) et un noeud d'entrée (56), leurs portes étant couplées à un autre noeud d'entrée (54). Un transistor à effet de champ du type N (46) est interposé entre le transistor à effet de champ (42) et le transistor à effet de champ (44) et sa porte est couplée à un autre noeud d'entrée (58). Un autre transistor à effet de champ du type N (48) est connecté en parallèle aux transistors à effet de champ (44, 46) entre le noeud de sortie (52) et le noeud d'entrée (56) et sa porte est couplée à un second noeud de tension d'alimentation (60). |
