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发明名称
Verfahren zur Herstellung eines p-dotierten Bereiches in Körpern aus einkristallinem Halbleitermaterial
摘要
申请公布号
CH398797(A)
申请公布日期
1966.03.15
申请号
CH19600004406
申请日期
1960.04.20
申请人
SIEMENS-SCHUCKERTWERKE AKTIENGESELLSCHAFT
发明人
PATALONG,HUBERT,DR.;SCHINK,NORBERT,DR.
分类号
C22C5/02;C30B31/02;H01L21/00
主分类号
C22C5/02
代理机构
代理人
主权项
地址
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