ENCEINTE POUR LE TRAITEMENT ET NOTAMMENT LA GRAVURE DE SUBSTRATS PAR LA METHODE DU PLASMA REACTIF

摘要

ENCEINTE POUR LE TRAITEMENT DE SUBSTRATS PAR LA METHODE DU PLASMA REACTIF, QUI COMPREND DE FACON CONNUE, UNE ENTREE 7 ET UNE SORTIE 12 POUR LA CIRCULATION D'UN GAZ REACTIF A BASSE PRESSION, UNE SOLE SUPPORTANT LE SUBSTRAT 10 A TRAITER PLACEE ENTRE DEUX ELECTRODES DONT L'UNE 3 EST AU POTENTIEL DE LA MASSE, ET L'AUTRE 4 OU ELECTRODE DE RADIOFREQUENCE, EST PORTEE A UN POTENTIEL ALTERNATIF DE FACON A CREER DANS L'ENCEINTE UNE DECHARGE ELECTRIQUE. ELLE EST CARACTERISEE EN CE QUE L'ENCEINTE EST METALLIQUE ET RECOUVERTE INTERIEUREMENT PAR PROJECTION AU CHALUMEAU A PLASMA D'UNE COUCHE PROTECTRICE 2 D'ALUMINE ALO D'UNE EPAISSEUR VOISINE DE 300MM.