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<P>L'INVENTION CONCERNE UNE STRUCTURE EPITAXIALE DANS LAQUELLE L'EFFET PIEZOELECTRIQUE D'UN GROUPE DE COUCHES EST EXALTE, PAR CONTRAINTE IMPOSEE PAR EPITAXIE FORCEE.</P><P>LA STRUCTURE SELON L'INVENTION COMPORTE UN SUBSTRAT 1 SEMI-ISOLANT, D'UN PREMIER MATERIAU, SUR LEQUEL EST DEPOSEE EN EPITAXIE FORCEE UNE COUCHE 3 D'UN SECOND MATERIAU, LES DEUX MATERIAUX SONT EN DESACCORD DE PARAMETRE DE MAILLES CRISTALLINES, CE QUI CREE DANS LA COUCHE 3 UNE CONTRAINTE EXALTANT SA PIEZOELECTRICITE. SUR LA COUCHE CONTRAINTE 3 SONT DEPOSES DEUX GROUPES DE COUCHES "DEFORMANTES" 4, 8 ET "DEFORMEES" 5, 7, 9, DES DEUX MATERIAUX, ALTERNEES. L'EPAISSEUR DE LA STRUCTURE EST SUFFISANTE POUR PERMETTRE LA PROPAGATION DES ONDES DE SURFACE. L'AVANTAGE DE CETTE STRUCTURE EST QU'ELLE PERMET D'INTEGRER, SUR OU A COTE DE LA STRUCTURE, DEUX TRANSDUCTEURS TELS QUE DES TRANSISTORS.</P><P>APPLICATION AUX DISPOSITIFS ELECTRONIQUES A ONDES ACOUSTIQUES DE SURFACE, INTEGRES EN MONOLITHIQUE.</P>
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