| 摘要 |
Un tel dispositif comportant une partie formant membrane, qui est obtenue par attaque chimique en 15 d'un corps semi-conducteur 6, dans l'autre face duquel se trouvent disposées une pluralité de couches semi-conductrices formant résistances 10 raccordées pour former un réseau en pont, ainsi qu'une région semi-conductrice fortement dopée 9 située au niveau de ladite partie formant membrane pour un capteur de pression et possédant le gradient de la concentration en impureté de dopage, ladite couche 9 permettant l'obtention d'un capteur de pression à semi-conducteurs à diaphragme plat. <BR/> Application notamment aux capteurs de pression à semi-conducteurs, à diaphragme en silicium. <BR/> (CF DESSIN DANS BOPI)<BR/> <BR/> |
