| 摘要 |
Procédé de fabrication d'une pellicule de silicium polycristallin dopé in situ et possédant une surface exempte de monticules microscopiques, comprenant les étapes consistant à réaliser une chambre de dépôt contenant une tranche sur laquelle la pellicule va être fabriquée et à introduire dans la chambre un gaz contenant des atomes de silicium et un autre gaz contenant des atomes de dopant à des débits respectifs; ces débits sont augmentés graduellement d'une manière suramortie pendant un intervalle de temps de démarrage d'au moins une minute de zéro jusqu'à des valeurs d'états stables respectives, tout en maintenant le rapport entre les débits respectifs à des valeurs ne dépassant pas 25 % du rapport des valeurs d'états stables. |
