| 摘要 |
<p>Die vorliegende Erfindung betrifft eine spannungsarme, thermisch unempfindliche Trägerschicht 1 für eine Absorberstruktur 2 einer Bestrahlungsmaske für Röntgenlithographie, sowie ein Herstellungsverfahren für eine derartige Trägerschicht 1. Dabei ist die Trägerschicht 1 aus mindestens drei Schichten mit unterschiedlichen Eigenschaften aufgebaut, wobei diese Schichten vorzugsweise aus Material gleicher Zusammensetzung, jedoch mit unterschiedlichen physikalischen Eigenschaften bestehen. Die gesamte Trägerschicht 1 ist dabei symmetrisch zu ihrer Schichtmitte 5 aufgebaut, d. h. die beiden Oberflächenschichten 3,3' bestehen aus identischem Material und weisen identische Abmessungen auf. Durch Auswahl geeigneter Materialkombinationen für die Oberflächenschichten 3,3' und die eine oder mehreren Zwischenschichten 4 kann beispielsweise erreicht werden, daß Materialspannungen nach außen hin kompensiert sind. Ein Bimetalleffekt kann durch den symmetrischen Aufbau bei einer Erwärmung der Trägerschicht nicht auftreten.</p> |
