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3(57)PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION DE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES EN CIRCUITOS INTEGRADOS.COMPRENDE LAS ETAPAS SIGUIENTES: REALIZAR, EN UN CUERPO DE SILICIO, UNA PRIMERA REGION DE CONDUCTIVIDAD DE TIPO P Y UNA SEGUNDA REGION DE CONDUCTIVIDAD DE TIPO N; FORMAR, DENTRO DE LA PRIMERA REGION, UNA TERCERA REGION DE CONDUCTIVIDAD DE TIPO P CON MAYOR CONCENTRACION; Y FORMAR, DENTRO DE LA SEGUNDA REGION, UNA CUARTA REGION DE CONDUCTIVIDAD DE TIPO N. AMBAS REGIONES TERCERA Y CUARTA TIENEN UNA CONCENTRACION RESPECTIVA MAYOR QUE LAS PRIMERA Y SEGUNDA. LAS PORCIONESSUPERFICIALES DEL CUERPO DE SILICIO EN DONDE HAN DE FORMARSE LAS REGIONES TERCERA Y CUARTA, SON TRATADAS SELECTIVAMENTE CON IONES BORO, Y LAS PORCIONES DEL MISMO CORRESPONDIENTES A LA REGION CUARTA, CON IONES FOSFORO O ARSENICO. EL CUERPO DE SILICIO SE ENMASCARA SELECTIVAMENTE Y SE CALIENTA PARA OXIDAR SELECTIVAMENTE LAS REGIONES TERCERA Y CUARTA.
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