| 发明名称 |
METHOD FOR THE PRODUCTION OF A SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING DIELECTRICALLY ISOLATING REGIONS |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0074541(A3) |
申请公布日期 |
1984.06.06 |
| 申请号 |
EP19820107889 |
申请日期 |
1982.08.27 |
| 申请人 |
FUJITSU LIMITED |
发明人 |
OGAWA, TETSUYA;TOYOKURA, NOBUO |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L21/285;H01L21/31;H01L21/324;H01L21/74;H01L21/76;H01L21/762;H01L21/768;(IPC1-7):H01L21/76;H01L21/32;H01L21/90 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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