| 摘要 |
<p>L'invention concerne les diodes dont les connexions sont prises par poutres à plat (beam-lead). La technique des poutres comme connexions d'accès est très intéressante mais présente un inconvénient dans le domaine des hyperfréquences: comme elles sont couchées sur une même face de la pastille de semiconducteur, il se forme des capacités parasites. Selon l'invention, les deux poutres (11, 12) sont parallèles entre elles, et elles sont entretoisées par la pastille de diode (10) et par un plot de verre (13) éloigné de la diode (10). Les contacts sont donc pris sur la diode (10) sur ses deux faces principales. La pastille de diode est limitée à sa seule section utile: sa surface ne joue plus le rôle de support mécanique. Une poutre peut être en deux parties (12, 14) qui constituent un condensateur de liaison. Application aux composants en Si ou GaAs, dans les hyperfréquences.</p> |
