| 主权项 |
1﹒用以形成一成型之合金导电层于一半导体本体上之方法,本方法之构成步骤包括:a﹒将一金属导电层沉积于该半导体本体上面;b﹒将一层低温玻璃上自转层沉积于导电层上;此玻璃上自转层含有染料;以及c﹒于沉积低温玻璃上自转层后完成导电层之造型并进行摄氏200度以上之加热循环;因而,防止在导电层中生成小丘及空隙,以及此玻璃上自转层于型样制定时有抗反射层之作用。2﹒根据上述请求专利部份第1项所界定之方法,其中所述导电层为铝。3﹒根据上述请求专利部份第1项所界定之方法,其中玻璃上自转层大约为800至5000埃厚。4﹒用以形成一成型之合金导电层于矽基质上面之方法,本方法包含下列步骤:a﹒将金属导电层沉积于该矽基质上面;b﹒于该导电层上形成玻璃上自转层,该玻璃上自转层含有染料;c﹒使用光石版照相技术对该导电层予以造型;d﹒将该矽基质加热至足以使该导电层及该矽基质合金化之温度。5﹒根据上述请求专利部份第4项所界定之方法,其中该导电层为铝。6﹒根据上述请求专利部份第5项所界定之方法,其中该玻璃上自转层约为800至5,000埃厚。7﹒根据上述请求专利部份第6项所界定之方法,其中该矽基质至少被加热至约摄氏200度。 |
