METHOD FOR MANUFACTURING SEMI-CONDUCTING DEVICES AND SEMI-CONDUCTING DEVICES THUS OBTAINED.

摘要

Procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur, comprenant un côté antérieur sensible et un côté postérieur disposé de manière à assurer un contact ohmique, possédant un substrat semiconducteur, tel que du silicium, sous la forme d'une tranche, et consistant à établir une jonction sur le côté antérieur de la tranche du substrat semiconducteur, en y diffusant un matériau de dopage, à recouvrir le côté antérieur dopé d'une couche de matériau anti-réfléchissant, à recouvrir par un procédé sérigraphique la couche de matériau anti-réfléchissant d'une couche de pâte à base d'argent, à appliquer par un procédé sérigraphique sur au moins une partie étendue du côté postérieur de la tranche de substrat semiconducteur une première couche formée d'une pâte d'aluminium, et à appliquer par un procédé sérigraphique une deuxième couche sur la première couche d'aluminium, avec un taux de couverture se situant entre 10 et 40 %, composée d'une pâte à base d'argent et de palladium.