PROCEDE DE FABRICATION D'UN COMPOSANT PASSIF A RADIO FREQUENCE ET CONDENSATEUR FABRIQUE PAR CE PROCEDE

摘要

L'INVENTION CONCERNE LA TECHNOLOGIE DES CIRCUITS INTEGRES.ON FORME NOTAMMENT UN CONDENSATEUR 32 A DIELECTRIQUE EN OXYDE DE TANTALE SUR UN SUBSTRAT SEMI-ISOLANT 12 EN FORMANT TOUT D'ABORD UNE COUCHE ISOLANTE 18 SUR LE SUBSTRAT ET SUR UN CONTACT METALLIQUE 16. ON FORME ENSUITE UNE COUCHE DE TANTALE 20 DANS UNE FENETRE OUVERTE DANS LA COUCHE ISOLANTE, ET ON SOUMET LA COUCHE DE TANTALE A UNE OXYDATION ANODIQUE POUR FORMER UNE COUCHE D'OXYDE DE TANTALE 20 SUR LAQUELLE ON DEPOSE UN AUTRE CONTACT METALLIQUE 28.APPLICATION AUX CIRCUITS INTEGRES RADIOFREQUENCES.