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发明名称 INSULATED-GATE FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND METHOD OF OF MANUFACTURING SAME
摘要
申请公布号 AU536540(B2) 申请公布日期 1984.05.10
申请号 AU19800057707 申请日期 1980.04.23
申请人 PHILIPS: GLOEILAMPENFABRIEKEN, N.V. 发明人 ROYCE LOWIS;PETER MARTIN TUNBRIDGE
分类号 H01L29/06;H01L29/10;H01L29/417;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/28;H01L21/30 主分类号 H01L29/06
代理机构 代理人
主权项
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