| 发明名称 |
Mask for corpuscular lithography, method for its manufacture and of using it. |
| 摘要 |
Eine Maske für die Korpuskularlithografie soll eine kürzere Belichtungszeit für die Strukturerzeugung auf Halbleiterwafern und deshalb eine Kostenreduzierung dieser Strukturerzeugung ermöglichen. Eine Maske für die Korpuskularlithografie weist eine Tunnelkathode in den korpuskelemittierenden Bereichen auf.
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| 申请公布号 |
EP0107004(A1) |
申请公布日期 |
1984.05.02 |
| 申请号 |
EP19830109000 |
申请日期 |
1983.09.12 |
| 申请人 |
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT |
发明人 |
LISCHKE, BURKHARD, PROF. DR. |
| 分类号 |
G03F7/20;H01J1/312;H01J37/073;H01J37/317;H01L21/027;(IPC1-7):G03F7/02 |
主分类号 |
G03F7/20 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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