发明名称 UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR MOLDEADO EN VIDRIO.
摘要 <p>DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR MOLDEADO EN VIDRIO.CONSTA DE UN ELEMENTO SEMICONDUCTOR (3) FIJADO ENTRE UN PAR DE CABLES DE ELECTRODOS (2) POR MEDIO DE UN MATERIAL DE SOLDADURA FUERTE (4), Y PROVISTO DE VIDRIO (5) QUE CUBRE LA PERIFERIA DEL MISMO POR MOLDEO. CADA UNO DE LOS CABLES DE ELECTRODO (2) COMPRENDE UN ELECTRODO (6) COMPUESTO DE UN MATERIAL DE NUCLEO (6A), UN MATERIAL TUBULAR (6B) Y UN CABLE O CONDUCTOR (7) HECHO DE UN MATERIAL DE LA MISMA CLASE QUE EL MATERIAL DE NUCLEO (6A) Y SOLDADO AL MISMO. COMO MATERIAL DE NUCLEO (6A) SE EMPLEA UNMETAL DE EXCELENTES CONDUCTIVIDADES TERMICA Y ELECTRICA, TAL COMO COBRE, MIENTRAS QUE COMO MATERIA TUBULAR SE EMPLEA UN METAL DE COEFICIENTE DE DILATACION TERMICA MAS BAJO QUE EL DEL MATERIAL DEL NUCLEO, TAL COMO UNA ALEACION DE INVAR, Y LOS MATERIALES DEL NUCLEO (6), ESTAN UNIDOS ENTRE SI METALURGICAMENTE.</p>
申请公布号 ES8402676(A1) 申请公布日期 1984.05.01
申请号 ES19830519272 申请日期 1983.01.26
申请人 HITACHI, LTD. 发明人
分类号 H01L23/48;H01L23/29;H01L23/31;H01L23/492;H01L25/07;(IPC1-7):01L23/48 主分类号 H01L23/48
代理机构 代理人
主权项
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